連續(xù)磁控濺射鍍膜解決方案

2019-06-24 16:18

堅(jiān)持自主創(chuàng)新磁控濺射鍍膜設(shè)備采用先進(jìn)的in-line產(chǎn)線(xiàn)結(jié)構(gòu),Twin-Mag孿生陰極磁控濺射技術(shù),并配以全自動(dòng)控制系統(tǒng)、先進(jìn)的真空系統(tǒng),可在玻璃襯底上鍍制SiO2、ITO、AZO、Al、Ni、Ti等各類(lèi)絕緣介質(zhì)薄膜、金屬或合金薄膜,并可連續(xù)濺鍍多種不同材質(zhì)的薄膜構(gòu)成復(fù)合多膜層結(jié)構(gòu),適合大規(guī)模光學(xué)、電學(xué)薄膜的生產(chǎn),做到一機(jī)多用,填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)空白。

   CP-PVD系列磁控濺射鍍膜設(shè)備是由廣東志成冠軍集團(tuán)與華中科技大學(xué)機(jī)械科學(xué)與工程學(xué)院、東莞華中科技大學(xué)制造工程研究院根據(jù)連續(xù)濺鍍薄膜功能材料的要求聯(lián)合自主研發(fā)而成,具有高能效、高可靠性、低成本的優(yōu)勢(shì)。
      本產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于觸摸屏ITO鍍膜、LCD顯示屏ITO鍍膜、薄膜太陽(yáng)能電池背電極及AZO鍍膜、彩色濾光片鍍膜、電磁屏蔽玻璃鍍膜、AR鍍膜、裝飾鍍膜等產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域。

光伏.jpg

技術(shù)特點(diǎn):
(一)產(chǎn)品結(jié)構(gòu)特點(diǎn)
      1)in-line多腔體模塊化結(jié)構(gòu),鍍膜室、進(jìn)出片室緩沖隔離處理。
      2)防顆粒立式腔體、小角度傾斜腔體或高穩(wěn)定性臥式腔體,雙端進(jìn)出,自動(dòng)回架。
      3)孿生平面靶結(jié)構(gòu)、圓柱靶,可進(jìn)行雙面濺鍍。
      4)磁流體密封,動(dòng)態(tài)真空穩(wěn)定性極佳。
      5)磁導(dǎo)流、磁懸浮傳動(dòng),運(yùn)行過(guò)程平穩(wěn)可靠。
      6)SUS304不銹鋼腔體材料,內(nèi)壁拋光放氣率低,外壁拋光噴珠美觀耐用。
      7)平移架氣缸自動(dòng)化平移,與自動(dòng)平移實(shí)現(xiàn)同步連鎖。
      8)真空室之間采用門(mén)閥—插板閥隔開(kāi),高效隔斷,工藝氣體波動(dòng)最小化。
(二)C-Mag技術(shù)
      1)基于志成冠軍“C-Mag”技術(shù),靶材利用率比一般設(shè)備提高10%以上。
      2)基于志成冠軍“C-Mag”技術(shù),可使設(shè)備稼動(dòng)率提高到90%以上。
(三)生產(chǎn)工藝特點(diǎn)
      1)RF或離子源預(yù)清洗設(shè)計(jì),高度清潔基材表面,增強(qiáng)膜層附著力。
      2)DC濺射、MF濺射、RF濺射根據(jù)工藝需求可選。
      3)隔離式磁控濺射多靶位,SiO2、ITO等多層膜連續(xù)濺鍍。
      4)膜層均勻性好,可控制在±3%以?xún)?nèi)。
      5)紅外加熱,分段PID溫度控制,溫度誤差控制±3℃。
      6)變頻調(diào)速,生產(chǎn)速率可控。
      7)人機(jī)界面,PC+PLC控制,生產(chǎn)過(guò)程全自動(dòng)化,高穩(wěn)定性、高重復(fù)性。
      8)偏壓濺射:在基片上施加偏置電壓,使基片位置相對(duì)接地(陽(yáng)極),真空室處負(fù)電位,吸引部分離子加速流向基片,提高成膜轟擊原子的能量,達(dá)到改變膜層性能的目的。可分為直流和脈沖偏壓濺射。
      9)膜厚監(jiān)控和沉積過(guò)程由計(jì)算機(jī)在線(xiàn)控制。
      10)膜厚監(jiān)控和沉積速率由計(jì)算機(jī)在線(xiàn)控制。
      11)可選增加在線(xiàn)退火處理箱體。


技術(shù)參數(shù):
      1)極限真空:6×10-4Pa
      2)生產(chǎn)節(jié)拍:40-120s/架(依賴(lài)于具體的生產(chǎn)工藝進(jìn)行定制)
      3)基片尺寸:可定制,可實(shí)現(xiàn)同機(jī)濺射多種尺寸產(chǎn)品的柔性化設(shè)計(jì)
      4)膜層均勻性:±3%
      5)加熱溫度:最大400℃


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